国外知名石墨烯企业Graphenea日前开始对外销售GFETs（石墨烯场效应晶体管）新产品。Graphenea提供的GFETs（石墨烯场效应晶体管）可以为气体传感器、生物传感器或其他传感器领域的科学研究提供高质量的GFET器件。

国外知名石墨烯企业Graphenea日前开始对外销售GFETs（石墨烯场效应晶体管）新产品。该举措进一步降低了石墨烯应用的障碍，特别是在传感器市场。 Graphenea提供的GFETs（石墨烯场效应晶体管）可以为气体传感器、生物传感器或其他传感器领域的科学研究提供高质量的GFET器件。

Graphenea已经上市的两种用于传感器领域的石墨烯场效应晶体管包括两种标准的GFET-for-sensing配置，称为GFET-S10和GFET-S20，每种均包括位于一平方厘米芯片上36个独立的GFET，但器件布局不同。GFET-S10的器件均匀分布在芯片上，GFET-S20则集成在芯片中心，芯片边缘有电气焊盘。GFET-S20器件都具有用于探测电气特性的双探头几何结构，而GFET-S10则包含30个霍尔条几何结构的器件和6个具有双探头几何结构的器件。除了石墨烯器件研究，生物电子学，生物传感，化学传感以及双探头几何结构允许的光电探测器之外，霍尔棒还可以进行磁场传感。

在接下来的几个月里，Graphenea计划推出定制设计服务，为同样高质量的GFET提供量身定制的安排。

Graphenea的新器件具有1000cm2 / V * s以上的特定载流子迁移率，低于2×1012cm-2的残余电荷载流子密度，10至40V的狄拉克点以及高于75％的产率。 GFET是在标准的Si /SiO2衬底上制作的，具有Ni / Al金属触点。

1、GFET-S20 for Sensing applications

$385.00

GFET-S20（裸片尺寸10 mm x 10 mm） - 经过1000级无尘室处理

Graphenea的GFET-S20芯片提供36个石墨烯器件，分布在四个象限中，器件位于芯片中心，探针焊盘位于芯片外围附近。 所有设备都是双探头设备几何形状。

这些器件被安排在GFET-S20中，以允许在石墨烯器件的顶部上施加液滴而不覆盖衬垫以在液体环境中进行测量或使用液体介质对器件进行功能化。

性能参数：

·生长方法：CVD合成

·芯片尺寸：10mm×10mm

·芯片厚度：675μm

·每个芯片的GFET数量：36

·栅氧化层厚度：90纳米

·栅极氧化物材料：SiO₂

·基体电阻率：1-10Ω.cm

·金属化：镍/铝140纳米

·石墨烯场效应迁移率：> 1000 cm² / V.s

·残余电荷载体密度：<2×10¹² cm^-2

·Dirac点：10-40伏

·收率：> 75％

2、GFET-S10 for Sensing applications

$385.00

GFET-S10（裸片尺寸10 mm x 10 mm） - 经过1000级无尘室处理

Graphenea公司的GFET-S10芯片在芯片上提供了36个以网格模式分布的石墨烯器件。 三十个设备具有霍尔条几何形状，六个具有两个探头几何形状。 霍尔棒设备可用于霍尔棒测量以及4探针和2探针设备。 有不同的石墨烯通道尺寸可以调查几何结构对器件性能的依赖性。

性能参数：

·生长方法：CVD合成

·芯片尺寸：10mm×10mm

·芯片厚度：675μm

·每个芯片的GFET数量：36

·栅氧化层厚度：90纳米

·栅极氧化物材料：SiO₂

·基体电阻率：1-10Ω.cm

·金属化：镍/铝140纳米

·石墨烯场效应迁移率：> 1000 cm² / V.s

·残余电荷载体密度：<2×10¹² cm^-2

·Dirac点：10-40伏

·收率：> 75％

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